原文在此：2014开年大戏，PCEVA在测试中编造数据欺骗网友事件解析
http://www.pc426.com/forum.php?mod=viewthread&tid=63484&fromuid=29614
(出处: PC426 | 学会思考，停止盲从)
微星GTX 780 Ti Gaming真的有问题吗？
现在我可以很确定的说，目前市售的批次是有问题的。
原因：如果显卡厂商真的对自己的产品有信心，就不会请自己的合作媒体动用人身攻击、扣帽子、批斗会等等方式来掩盖产品的问题，更不会让PCEVA触及作为硬件媒体的基本底线——编造测试数据。
所以，我们可以确定大家必须要谨慎对待微星GTX 780 Ti Gaming。
其实围绕这款产品我已经从各种角度尝试进行说明，但是都被PCEVA的石头一一蒙混过去，但是这一次他没有办法蒙混，因为我汇总了他们所有的测试结果，通过数据分析来证明他们说了谎。
这篇文章对事不对人，请石头的马甲们速速退散，我关心的是产品有没有问题，不是石头是否人身攻击了我自己。
先从疑点重重的回帖说起：
2013年12月20日 23:53，PCEVA的编辑发了这样的一篇帖子，帖子中提到微星780Ti Gaming的供电温度在实际测试中达到了110℃：
2014年1月2日 22:08，PCEVA站长补充：
微星780Ti Gaming的110℃供电温度，是在特殊测试环境下跑的，风扇转速1000RPM，满载5小时。
2014年1月6日，PCEVA编辑补充，供电在测试中的实际温度是109.8℃，裸机条件下1200转的风扇转速，核心/显存超频1300/2000，TDP上调到300W、挖矿5小时后取了值：
可以看出20天内，关于这个供电110℃的信息，PCEVA一再通过改变测试条件来掩饰着什么，我对他们的测试条件说明产生了极大的怀疑。
- 这样重要的信息，编辑在12月20日发布时没有说明特殊的方法，作为媒体来说这本来就是不可容忍的。
- 这样重要的信息，编辑和站长的回帖竟然有如此大的出入。
- 这样重要的信息，竟然有很大的疑点——N卡目前本来不适合挖矿，却被编辑用挖矿来测试温度。
于是，我通过查阅评测、查阅PCEVA的补充数据，对所有能用到的测试结果做了汇总，以验证PCEVA是否在这一次涉及编造测试结果，以下是汇总过程：
数据汇总过程：
PCEVA 微星780Ti Gaming的评测，温度测试环节：
http://www.pceva.com.cn/article-1601-7.html
我可以得到室温20℃下，默认TDP（250W）下使用Furmark满载微星780Ti Gaming，最后的GPU温度为67℃，风扇转速为1334RPM。
1月6日 19:00，PCEVA编辑的一个回帖：
http://bbs.pceva.com.cn/forum.ph ... =108155&pid=1360984
里面提到780Ti Gaming在转速提高到2000RPM、TDP默认设置（250W）、室温23.2℃的时候，GPU温度为63℃：
最后就是扑朔迷离的110℃供电温度到底是怎么测出来的，我们以最后一次编辑的发言为准：
裸机下，风扇1200RPM，TDP300W并且超了频，用挖矿工具满载5小时，GPU温度在60℃出头：
然后，我把我的计算方法、结果合理性分析制作成了表格：因为所有的测试都是使用同一张显卡完成，所以我们可以使用总内阻计算公式（或者可以看做热阻计算公式）来验证数据的合理性。
另外说一下，利用总内阻测试散热器性能要比单纯对比散热器温度表现更好，我的很多散热器测试都有用到这个方法，详见：
http://www.pc426.com/article-115-8.html
补充说明：
- 表格中的总内阻，是指GPU核心——GPU顶盖——显卡散热器的热阻，因为测试显卡不变，所以理论上只要风扇转速不变、GPU功耗不变，那么总内阻数值就是不变的。
- 前面两项2000RPM和1334RPM转速下的总内阻结果，主要是提供给大家，让大家了解到风扇转速越高、总内阻数值会越低。
- 1200RPM就是供电测出110℃，但是PCEVA把测试方法左改右改的项目，室温和总内阻是未知的，但是我们可以通过一些合理的数值填入、计算出预估的总内阻、预估最高室温等等数据，来判断他们的话是否真实。。
- 比如假设1200RPM下的测试室温是20℃（大家都没有异议吧？），最后计算出来的总内阻是0.133，这个数值要比转速更高的项目中低很多，所以我们可以知道做这个测试时室温肯定要比20摄氏度低很多。
- 于是我们来尝试用极值的方式预估出测试时最高的室内温度，这个时候总内阻直接取转速为1334RPM时测出的0.188，因为1200转的时候只会比0.188更高，结果得出的数据是室内温度至少要在3.6℃以下，测试结果才是合理的，但是3.6℃的室内温度。。。在他们的测试环境中除非有意为之，否则是不会出现的。
- 最后来查看满载功率是否合理，室温还是比较合适的20℃，总内阻仍然极值0.188，结果我们得出一个结论——想要得到这样的结果，GPU满载后的功耗要在212.766W以内，但是满载只有212.766W的话，供电上110℃，要么供电设计太失败，要么数据是编造的。
这样，我们从三个角度分析得出结论——PCEVA编造了数据，他们触及了硬件媒体的底线，今后PCEVA的硬件评测都要小心看。
等等，还没结束，PCEVA还在另一个方面上证明了微星780Ti Gaming有显存高温的问题，那就是这张出自PCEVA的PCB温度图：
供电温度达到95.8℃时，显存部分的温度只有70-75摄氏度是不合理的，不过我们看看上面的说明就会明白为什么——PCEVA为了让显存温度比较漂亮，人为将显卡风扇转速提高到2000转：
手动设置高转速是可以解决高温问题，但是评测中提到的静音优势就会失去，而且我认为这样做是不合理的：
- 因为不同用户因为地理因素、机箱的异同、风道规划的异同等等特性，要求用户将显卡的风扇转速手动调整到合适设置是存在风险的。
- 首先，用户必须要准备红外测温仪，或者红外热成像仪，因为如果使用接触式测温仪的话，很可能发生短路危险，如果使用手摸上去的方式测温度的话，90℃以上的PCB肯定会把用户的手烫出水泡。
- 然后，我们假设用户购买了红外测温仪或者红外热成像仪，那么用户就需要做一系列的测试，确定20℃环境温度、25℃环境温度、30℃、35℃、40℃……等等环境温度下的风扇转速设置，如果这一点做不到的话，假如现在用户的房间很冷，可能15℃上下，机箱内的温度20℃左右，但是到了春天后，房间内的温度可能会上升到20℃，那么这个时候还继续用冬季的设置，就很有可能又一次出现高温问题，所以用户必须做到室温改变时及时调整显卡风扇转速。
- 也就是说，一套带报警功能的机箱内温度计也是必要的物品。
会有多危险？我们来看看guru3d的微星780Tt Gaming测试：
http://www.guru3d.com/articles_pages/msi_geforce_gtx_780_ti_gaming_review,9.html
可以看到，显卡在默认转速设置下满载，供电的高温很明显波及到了显存。
我们看看微星GTX 780 Ti Gaming的显存型号：
▲SKhynix H5GQ2H24AFR。
通过资料搜索，可以找到这个显存颗粒的datasheet，在153页，标注了产品的最高工作温度：
http://wenku.blacksheepgame.com/view/35b65354804d2b160b4ec0af.html?pn=153
为了方便大家，这里通过截图呈现：
首先需要注意，这份材料中Tcasemax在后面会被直接标注为Tcase，也就是说后文中出现的Tcase就是厂商指定的最高工作温度。
然后继续看：
可以看到这个颗粒的最高工作温度为85℃。
等等。。。刚才看到了什么？我记得供电110℃来着？而且有一排显存颗粒距离供电模块很近，并且是上下夹击状态，有什么火星科技可以在这种情况下供电110℃、显存最高85℃？反正我没看到PCEVA的评测中有提及，而且PCEVA的亮点部分是存储部分，他们不可能不知道这个颗粒的最高工作温度是85℃，为什么不去提这个事情？
顺便科普一个细节，worst-case process corner：
通常提供给设计师的性能范围只适用于数字电路并以“工艺角”（Process Corner）的形式给出。如图，其思想是：把NMOS和PMOS晶体管的速度波动范围限制在由四个角所确定的矩形内。这四个角分别是：快NFET和快PFET，慢NFET和慢PFET，快NFET和慢PFET，慢NFET和快PFET。例如，具有较薄的栅氧、较低阈值电压的晶体管，就落在快角附近。
从晶片中提取与每一个角相对应的器件模型时，片上NMOS和PMOS的测试结构显示出不同的门延时，而这些角的实际选取是为了得到可接受的成品率。
各种工艺角和极限温度条件下对电路进行仿真是决定成品率的基础。
所以我们所说的ss、tt、ff分别指的是左下角的corner，中心、右上角的corner。
工艺极限 (Process Corner)
如果采用5-corner model会有TT,FF,SS,FS,SF 5个corners。如TT指NFET-Typicalcorner & PFET-Typical corner。其中, Typical指晶体管驱动电流是一个平均值，FAST指驱动电流是其最大值，而SLOW指驱动电流是其最小值（此电流为Ids电流）这是从测量角度解释，也有理解为载流子迁移率(Carrier mobility)的快慢. 载流子迁移率是指在载流子在单位电场作用下的平均漂移速度。至于造成迁移率快慢的因素还需要进一步查找资料。单一器件所测的结果是呈正态分布的，均值在TT，最小最大限制值为SS与FF。从星空图看NFET，PFET所测结果,这5种覆盖大约+-3 sigma即约99.73% 的范围。对于工艺偏差的情况有很多，比如掺杂浓度，制造时的温度控制，刻蚀程度等，所以造成同一个晶圆上不同区域的情况不同，以及不同晶圆之间不同情况的发生。这种随机性的发生，只有通过统计学的方法才能评估覆盖范围的合理性。
PVT (process, voltage, temperature)
设计除了要满足上述5个corner外，还需要满足电压与温度等条件, 形成的组合称为PVT (process, voltage, temperature) 条件。电压如：1.0v+10% ,1.0v ,1.0v-10% ; 温度如：-40C, 0C 25C, 125C。设计时设计师还常考虑找到最好最坏情况. 时序分析中将最好的条件(Best Case)定义为速度最快的情况, 而最坏的条件(Worst Case)则相反。最好最坏的定义因不同类型设计而有所不同。最坏的延迟也不都出现在SS[19] 。至于延迟随PVT发生怎样的变化，还需要进一步查找资料。
▲注意：电子迁移引发的故障需要一定时间的积累才能体现，所以比如这颗显存颗粒工作温度超过了85℃，并不代表着显卡会马上坏掉，而是代表着显卡如果经常要用到显存的话就会更快坏掉，这个概念需要大家明确。
所以，为了养好你的微星780Ti Gaming，你必须付出很多心血，这不是提升显卡风扇转速这样简单，希望PCEVA后期的测试不会误导你。
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发表于 2014-2-26 00:11
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MSI? 算了吧...被坑了3次...再也无爱了...560Ti拿到就黑屏...7870Hawk电压莫名的高,温度也是莫名的高...后面出的760Gaming显卡...帮朋友带了一张,上机就花...
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