STT-MRAM做缓存 固态硬盘再也不怕掉电

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Buffalo Memory今天宣布推出SS6系列固态硬盘，首次配备新型内存“STT-MRAM”作为缓存缓冲。
STT-MRAM即自旋转移矩磁阻随机存储，采用自旋极化电流，以磁状态而非电子充电状态保存数据，相比传统的动态随机存储(DRAM)具有非易失性、高可靠性、超低延迟等特性，海力士、东芝等都在大力研发推进。
我们知道，现在很多固态硬盘都搭载了DRAM缓存，但市DRAM属于易失性存储，掉电就会丢失数据，为此不得不搭配备份电池或者超级电容，还要有高级掉电保护技术，软硬件成本都增加不少。
STT-MRAM则是非易失性的，就像NAND闪存那样即使断电也能保留缓存的数据，并且不需要硬盘向闪存刷新缓存内容。
Buffalo SS6使用了来自Everspin科技公司(飞思卡尔半导体投资组建)的DDR3 ST-MRAM(EMD3D064M)，单颗容量64Mb(8MB)，WBGA封装，完全兼容JEDEC DDR3接口规范，频率最高1600MHz，带宽最高3.2GB/s，延迟则是纳秒级别的。
不过，Buffalo SS6主要面向工业领域，消费级领域暂时不会看到。详细的规格参数也没有公布，只知道是SATA 6Gbps接口。