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[新闻] Intel与美光将NAND Flash推向20nm制程

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发表于 2011-4-15 20:34 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式








在去年,Intel与美光的NAND合资的IMFT公司迈入25nm,不过一向崇尚摩尔定律的半导体业界又怎可能把技术卡在这里,而果不其然,它们又再度携手,将技术推至20nm,并且打造出仅118mm平方大小的8GB MLC Flash。


比起25nm更缩小近30~40%电路板空间,而这也有利于在有限的空间如SSD中合并更多的8GB NAND,组成更大容量的储存模组。

而未来更会推出16GB样品,可望将128GB浓缩在仅邮票尺寸的空间内。是说美国的邮票跟台湾邮票的尺寸会差很多吗?




http://chinese.engadget.com/2011/04/15/intel-and-micron-announce-new-22nm-nand-flash-manufacturing-proc/

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发表于 2011-4-15 20:37 | 只看该作者
128GB如果与邮票差不多大的话- -那么1TB的也不过就是8张邮票大小- -
只不过- -制造工艺上来了- -SSD过去的问题都解决了吗- -比如说- -最关心的价格问题- -能降低多少?一张邮票可以卖到1美元吗?就是6元钱128GB的时代可以到来吗- -
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发表于 2011-4-16 08:40 | 只看该作者
我就不信等到了10NM以下你还能控制电子自转不成?!
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冰凉的地板
发表于 2011-4-16 08:49 | 只看该作者
价格勉强还能接受 最大的问题是寿命啊 寿命
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发表于 2011-4-16 09:03 | 只看该作者
我就不信等到了10NM以下你还能控制电子自转不成?!
wwwxp127 发表于 2011-4-16 08:40



    电子自转……这貌似不是我们普通用户应该关心的问题……这是那一些公司需要处理的- -我们从后面跟着买就是了- -
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发表于 2011-4-16 09:07 | 只看该作者
价格不下来。。不好说啊。。
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